Produkte > ONSEMI > MJD5731T4G
MJD5731T4G

MJD5731T4G onsemi

mjd5731-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.43 EUR
5000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD5731T4G onsemi

Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 1.56 W.

Weitere Produktangebote MJD5731T4G nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MJD5731T4G MJD5731T4G Hersteller : onsemi MJD5731_D-2315658.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 15W PNP
auf Bestellung 44505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.11 EUR
10+ 1 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.48 EUR
2500+ 0.44 EUR
5000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD5731T4G MJD5731T4G Hersteller : onsemi mjd5731-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+1.13 EUR
18+ 0.99 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 16
MJD5731T4G MJD5731T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd5731-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar