MJD44H11T4G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 103+ | 0.7 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 136+ | 0.53 EUR |
| 177+ | 0.4 EUR |
| 187+ | 0.38 EUR |
| 2500+ | 0.37 EUR |
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Technische Details MJD44H11T4G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJD44H11T4G nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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MJD44H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry |
auf Bestellung 2323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
auf Bestellung 105014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD44H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD44H11T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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