MJD44H11T4 STMicroelectronics
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Technische Details MJD44H11T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MJD44H11T4 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 112500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 112500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2288 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 2288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
auf Bestellung 22465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
auf Bestellung 6857 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 6564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 6569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD44H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD44H11T4 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
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