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MJ802G
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MJ802G ONSEMI

mj802-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
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Technische Details MJ802G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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 		MJ802G Hersteller : ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Current gain: 25...100
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MJ802G MJ802G Hersteller : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
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MJ802G MJ802G Hersteller : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ802G MJ802G Hersteller : onsemi MJ802_D-2315845.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
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MJ802G MJ802G Hersteller : onsemi mj802-d.pdf Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 790 Stücke:
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10+ 10.34 EUR
25+ 9.63 EUR
100+ 8.62 EUR
300+ 8.11 EUR
500+ 7.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJ802G MJ802G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJ802G MJ802G
Produktcode: 117194 		mj802-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJ802G MJ802G Hersteller : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ802G MJ802G Hersteller : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ802G MJ802G Hersteller : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ802G MJ802G Hersteller : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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