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Technische Details MJ21196G onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote MJ21196G nach Preis ab 7.42 EUR bis 13.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJ21196G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 250V 16A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 250 W |
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| MJ21196G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ21196G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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MJ21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJ21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJ21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |