MGSF2N02ELT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
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Technische Details MGSF2N02ELT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MGSF2N02ELT1G nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : onsemi | MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm |
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MGSF2N02ELT1G | Hersteller : onsemi | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
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