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MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G onsemi


mgsf1n03lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
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Technische Details MGSF1N03LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Hersteller : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Hersteller : onsemi MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf MOSFET 30V 2.1A N-Channel
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10+ 0.66 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Hersteller : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 730mW
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Hersteller : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Hersteller : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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MGSF1N03LT1G Hersteller : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 05+06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
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MGSF1N03LT1G Hersteller : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ROHS SOT-23
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MGSF1N03LT1G Hersteller : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ SOP-8
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Hersteller : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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