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MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM Littelfuse


Littelfuse_Power_Semiconductor_IGBT_Module_MG1275S-335999.pdf Hersteller: Littelfuse
IGBT Modules 1200V 75A Dual
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Technische Details MG1275S-BA1MM Littelfuse

Description: IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3, Packaging: Bulk, Package / Case: S-3 Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A (Typ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: S3, Current - Collector (Ic) (Max): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 630 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MG1275S-BA1MM MG1275S-BA1MM Hersteller : Littelfuse 4084526919073376840845250354643848littelfuse_power_semiductor_igbt_module_mg1275s_ba1mm_datasheet.pdf.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 630000mW 7-Pin Bulk
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MG1275S-BA1MM MG1275S-BA1MM Hersteller : Littelfuse Inc. Description: IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
Packaging: Bulk
Package / Case: S-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: S3
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 25 V
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