MC1413DR2G ON Semiconductor
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Technische Details MC1413DR2G ON Semiconductor
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 7 NPN Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V, Supplier Device Package: 16-SOIC, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote MC1413DR2G nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MC1413DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R |
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MC1413DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R |
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MC1413DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R |
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MC1413DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R |
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MC1413DR2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active |
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MC1413DR2G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington |
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MC1413DR2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active |
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MC1413DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1413DR2G - TRANSISTOR-ARRAY, NPN/PNP, 1.1V, SOIC tariffCode: 85412900 Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR hazardous: false Ausgangsspannung: 50V rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Treiber: SOIC Ausgangsstrom: 500mA Versorgungsspannung, max.: 3V usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MC1413DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1413DR2G - TRANSISTOR-ARRAY, NPN/PNP, 1.1V, SOIC tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3V Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC1413DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC1413DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1413DR2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC1413DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R |
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