MBRD835LT4G ON Semiconductor
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Technische Details MBRD835LT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 75A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 510mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBRD8, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MBRD835LT4G nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MBRD835LT4G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 35V; 8A; DPAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: DPAK Max. forward voltage: 0.41V Max. load current: 16A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 35V; 8A; DPAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: DPAK Max. forward voltage: 0.41V Max. load current: 16A Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf |
auf Bestellung 19328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
auf Bestellung 26053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Діод Шотткі smd; Io, A = 8; Uзвор, В = 35; Uf (max), В = 0,51; If, А = 8; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35; DPAK-3 |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G Produktcode: 191911 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden |
Produkt ist nicht verfügbar
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