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MBR30H100MFST3G

MBR30H100MFST3G onsemi

mbr30h100mfs-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
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Technische Details MBR30H100MFST3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V.

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MBR30H100MFST3G MBR30H100MFST3G Hersteller : onsemi MBR30H100MFS_D-2315119.pdf Rectifiers 30 A, 100 V Schottky Diode in SO-8FL 30A 100V Schottky Diode
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MBR30H100MFST3G MBR30H100MFST3G Hersteller : ON Semiconductor mbr30h100mfs-d.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 30A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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MBR30H100MFST3G MBR30H100MFST3G Hersteller : ON Semiconductor mbr30h100mfs-d.pdf Diode Schottky 100V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
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MBR30H100MFST3G MBR30H100MFST3G Hersteller : onsemi mbr30h100mfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
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