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MBR20L100CT Taiwan Semiconductor
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Technische Details MBR20L100CT Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote MBR20L100CT nach Preis ab 0.65 EUR bis 1.85 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MBR20L100CT | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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MBR20L100CT | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V |
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