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MBR1H100SFT3G

MBR1H100SFT3G onsemi

mbr1h100sf-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 760 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 100 V
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Technische Details MBR1H100SFT3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123FL, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 760 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBR1H100SFT3G MBR1H100SFT3G Hersteller : onsemi MBR1H100SF_D-2315034.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1A 100V
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2500+ 0.31 EUR
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MBR1H100SFT3G MBR1H100SFT3G Hersteller : onsemi mbr1h100sf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 760 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 100 V
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2000+ 0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
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MBR1H100SFT3G MBR1H100SFT3G Hersteller : ON Semiconductor mbr1h100sf-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 100V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
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MBR1H100SFT3G Hersteller : ONS mbr1h100sf-d.pdf DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
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MBR1H100SFT3G Hersteller : ON Semiconductor mbr1h100sf-d.pdf Діод Шотткі smd; Io, A = 1; Uзвор, В = 100; Uf (max), В = 0,76; If, А = 1; Тексп, °C = -65...+175; Темп.опір,°C/Вт = 85; I, мкА @ Ur, В = 40 @ 100; SOD-123FL
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MBR1H100SFT3G MBR1H100SFT3G Hersteller : ON Semiconductor mbr1h100sf-d.pdf Diode Schottky Si 100V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
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MBR1H100SFT3G MBR1H100SFT3G Hersteller : ON Semiconductor mbr1h100sf-d.pdf Diode Schottky Si 100V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
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