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LND150N8-G

LND150N8-G Microchip Technology

lnd150c041114.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details LND150N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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LND150N8-G LND150N8-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150N8-g LND150N8-g Hersteller : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N8-g LND150N8-g Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N8-g LND150N8-g Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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LND150N8-G LND150N8-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150N8-g LND150N8-g Hersteller : Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
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LND150N8-g LND150N8-g Hersteller : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N8-G LND150N8-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150N8-G LND150N8-G Hersteller : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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LND150N8-G LND150N8-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150N8-G LND150N8-G Hersteller : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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