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LND150N3-G

LND150N3-G Microchip Technology

lnd150c041114.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details LND150N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: TO92
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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80+ 0.9 EUR
94+ 0.76 EUR
97+ 0.74 EUR
100+ 0.72 EUR
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: TO92
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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3000+ 0.8 EUR
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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LND150N3-G LND150N3-G
Produktcode: 60544 		LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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