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LND150K1-G

LND150K1-G Microchip Technology

lnd150c041114.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details LND150K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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500+ 0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 216
LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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89+ 0.81 EUR
100+ 0.72 EUR
103+ 0.7 EUR
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109+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 54
LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 3000
LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12938 Stücke:
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12938 Stücke:
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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LND150K1-G Hersteller : Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
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LND150K1-G LND150K1-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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