LMG3526R030RQSR Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Current: 55 A
Voltage: 650 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 43.44 EUR |
| 10+ | 40.06 EUR |
| 25+ | 38.26 EUR |
| 100+ | 34.21 EUR |
| 250+ | 32.63 EUR |
| 500+ | 31.06 EUR |
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Technische Details LMG3526R030RQSR Texas Instruments
Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Type: MOSFET, Configuration: Half Bridge Inverter, Current: 55 A, Voltage: 650 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| LMG3526R030RQSR | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
LMG3526R030RQSR Drivers - integrated circuits |
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LMG3526R030RQSR | Hersteller : Texas Instruments |
Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Inverter Current: 55 A Voltage: 650 V |
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LMG3526R030RQSR | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection 52-VQFN -40 to 150 |
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