KSC5026MOS onsemi / Fairchild
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Technische Details KSC5026MOS onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote KSC5026MOS nach Preis ab 0.6 EUR bis 1.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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KSC5026MOS | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 20 W |
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KSC5026MOS | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| KSC5026MOS | Hersteller : FAIRCHILD |
TO-126 06+ |
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KSC5026MOS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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KSC5026MOS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSC5026MOS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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| KSC5026MOS | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 1.5A Power dissipation: 20W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 5A Current gain: 20...40 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 15MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| KSC5026MOS | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 1.5A Power dissipation: 20W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 5A Current gain: 20...40 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 15MHz |
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