KSC3503DS ON Semiconductor
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 334+ | 0.46 EUR |
| 392+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details KSC3503DS ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote KSC3503DS nach Preis ab 0.31 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSC3503DS | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
auf Bestellung 12703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 7 W |
auf Bestellung 16467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
KSC3503DS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
KSC3503DS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| KSC3503DS | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO Kind of package: bulk Power dissipation: 7W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO126ISO Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 60...120 Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
| KSC3503DS | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO Kind of package: bulk Power dissipation: 7W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO126ISO Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 60...120 Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Type of transistor: NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |