![KSC1008CYTA KSC1008CYTA](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2585/TO-92-3%20Formed%20Leads.jpg)
KSC1008CYTA onsemi
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Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2000+ | 0.13 EUR |
6000+ | 0.12 EUR |
10000+ | 0.1 EUR |
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Technische Details KSC1008CYTA onsemi
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSC1008, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote KSC1008CYTA nach Preis ab 0.099 EUR bis 0.7 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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KSC1008CYTA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 4516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSC1008CYTA | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 27090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSC1008 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 14465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN |
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