![KBP302G C2 KBP302G C2](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2009/7/8/5/21/41/547/tsc_/manual/4pin_ kbp.jpg)
KBP302G C2 Taiwan Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details KBP302G C2 Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, KBP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBP, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote KBP302G C2
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
KBP302G C2 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, KBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
KBP302G C2 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |