JANTXV1N5811US Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Qualification: MIL-PRF-19500/477
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details JANTXV1N5811US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Weitere Produktangebote JANTXV1N5811US nach Preis ab 17.48 EUR bis 19.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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JANTXV1N5811US | Hersteller : Microchip / Microsemi |
Rectifiers UFR,FRR |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV1N5811US | Hersteller : MICROSEMI |
E_SQ._MELF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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