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Technische Details JANTX1N5811 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Weitere Produktangebote JANTX1N5811 nach Preis ab 11.35 EUR bis 11.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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JANTX1N5811 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
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| JANTX1N5811 | Hersteller : MICROSEMI |
B_(WT)Ultra Fast Rectifier (less than 100ns) 1N5811 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| JANTX1N5811 | Hersteller : Semtech |
JANTX1N5811 POWER DISCR 1N5811 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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