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Technische Details JANTX1N5617US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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JANTX1N5617US | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V |
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JANTX1N5617US | Hersteller : MICROSEMI |
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