JANTX1N4101UR-1 Microchip / Microsemi
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Technische Details JANTX1N4101UR-1 Microchip / Microsemi
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA, Packaging: Bulk, Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Supplier Device Package: DO-213AA, Part Status: Active, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.24 V.
Weitere Produktangebote JANTX1N4101UR-1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| JANTX1N4101UR-1 | Hersteller : MICROSEMI |
 1N4101UR-1JANTX 1N4101URAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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JANTX1N4101UR-1 | Hersteller : Microchip Technology |
Zener Diode Single 8.2V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-213AA Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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JANTX1N4101UR-1 | Hersteller : VPT Components |
Zener Diode Single 8.2V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-213AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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JANTX1N4101UR-1 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.24 V |
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