JAN1N457 Microchip Technology
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Technische Details JAN1N457 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V, Qualification: MIL-PRF-19500/193.
Weitere Produktangebote JAN1N457
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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JAN1N457 | Hersteller : Microchip Technology |
 Diode Switching 70V 0.225A 2-Pin DO-35 Bag |
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JAN1N457 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 70V 0.225A 2-Pin DO-35 Bag |
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JAN1N457 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V Qualification: MIL-PRF-19500/193 |
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JAN1N457 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Signal or Computer Diode |
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