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IXYY8N90C3

IXYY8N90C3 IXYS

IXYP(y)8N90C3.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.40 EUR
24+3.06 EUR
30+2.43 EUR
32+2.30 EUR
70+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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Technische Details IXYY8N90C3 IXYS

Description: IGBT 900V 20A TO-252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Hersteller : IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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10+5.86 EUR
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70+2.90 EUR
560+2.68 EUR
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.05 EUR
70+3.20 EUR
140+2.94 EUR
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IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
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