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IXTX210P10T

IXTX210P10T IXYS


IXTX210P10T.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.95 EUR
30+30.43 EUR
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Technische Details IXTX210P10T IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTX210P10T IXTX210P10T Hersteller : IXYS IXTX210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTX210P10T IXTX210P10T Hersteller : IXYS media-3323045.pdf MOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
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IXTX210P10T IXTX210P10T Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+50.64 EUR
30+33.40 EUR
120+32.39 EUR
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IXTX210P10T IXTX210P10T Hersteller : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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