auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 32.05 EUR |
| 10+ | 30.04 EUR |
| 30+ | 26.4 EUR |
| 60+ | 25.94 EUR |
| 120+ | 24.69 EUR |
| 270+ | 23.94 EUR |
| 510+ | 23.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTT80N20L IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTT80N20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Linear Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote IXTT80N20L nach Preis ab 25.06 EUR bis 32.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT80N20L | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO268Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTT80N20L | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTT80N20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Linear Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IXTT80N20L | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXTT80N20L | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 80A Power dissipation: 520W Case: TO268 On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IXTT80N20L | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 80A Power dissipation: 520W Case: TO268 On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 250ns |
Produkt ist nicht verfügbar |