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Technische Details IXTT16N20D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTT16N20D2
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IXTT16N20D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTT16N20D2 - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 16 Rds(on)-Messspannung Vgs: 0 Verlustleistung Pd: 695 Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: To Be Advised |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO268; 607ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 607ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO268; 607ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 607ns |
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