IXTT140P10T Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
auf Bestellung 235 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 32.33 EUR |
| 30+ | 26.17 EUR |
| 120+ | 24.63 EUR |
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Technische Details IXTT140P10T Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXTT140P10T nach Preis ab 25.91 EUR bis 196.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXTT140P10T | Hersteller : IXYS |
MOSFET P-Channel: Standard MOSFET |
auf Bestellung 919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTT140P10T | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTT140P10T | Hersteller : IXYS |
MOSFET P-Channel: Standard MOSFET |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTT140P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT140P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT140P10T | Hersteller : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -140A Power dissipation: 568W Case: TO268 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 130ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT140P10T | Hersteller : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -140A Power dissipation: 568W Case: TO268 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 130ns |
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