IXTT02N450HV Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 51.71 EUR |
| 30+ | 42.86 EUR |
| 120+ | 40.18 EUR |
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Technische Details IXTT02N450HV Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 750ohm, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXTT02N450HV nach Preis ab 52.25 EUR bis 52.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IXTT02N450HV | Hersteller : IXYS |
MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 311-315 Tag (e) |
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IXTT02N450HV | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 113W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-268HV Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 750ohm Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTT02N450HV Produktcode: 147874 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTT02N450HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT02N450HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT02N450HV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Drain current: 0.2A Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 625Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT02N450HV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Drain current: 0.2A Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 625Ω |
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