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IXTQ52N30P IXYS
![IXTQ52N30P-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 52A
On-state resistance: 73mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 6.92 EUR |
13+ | 5.61 EUR |
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30+ | 5.13 EUR |
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Technische Details IXTQ52N30P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTQ52N30P nach Preis ab 5.13 EUR bis 23.12 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 52A On-state resistance: 73mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 300V |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ52N30P Produktcode: 143359 |
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Produkt ist nicht verfügbar
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IXTQ52N30P | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTQ52N30P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V |
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