IXTQ120N20P Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 18.78 EUR |
| 30+ | 15.2 EUR |
| 120+ | 14.31 EUR |
| 510+ | 12.97 EUR |
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Technische Details IXTQ120N20P Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 714W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHT, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTQ120N20P nach Preis ab 10 EUR bis 35.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IXTQ120N20P | Hersteller : IXYS |
MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 318-322 Tag (e) |
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IXTQ120N20P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Gate charge: 152nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 180ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 120A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ120N20P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Gate charge: 152nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 180ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 120A |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ120N20P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 714W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ120N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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