![IXTP96P085T IXTP96P085T](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
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Technische Details IXTP96P085T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.
Weitere Produktangebote IXTP96P085T nach Preis ab 5.19 EUR bis 8 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXTP96P085T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : Ixys Corporation |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP96P085T | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -85V Drain current: -96A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 55ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP96P085T | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -85V Drain current: -96A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 55ns |
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