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IXTP6N50D2

IXTP6N50D2 IXYS

IXTA(H,P)6N50D2.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
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Technische Details IXTP6N50D2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 Hersteller : IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
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IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 Hersteller : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
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2000+ 7.94 EUR
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IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 Hersteller : IXYS media-3320818.pdf MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
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10+ 13.68 EUR
50+ 12 EUR
100+ 10.74 EUR
250+ 10.37 EUR
500+ 9.47 EUR
1000+ 8.75 EUR
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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