IXTP32P20T IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 11+ | 6.94 EUR |
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Technische Details IXTP32P20T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXTP32P20T nach Preis ab 6.94 EUR bis 14.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXTP32P20T | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -200V Drain current: -32A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 185nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Case: TO220AB Reverse recovery time: 190ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP32P20T | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TenchP Power MOSFET |
auf Bestellung 3873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP32P20T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP32P20T | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP32P20T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP32P20T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |