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IXTP14N60X2 IXYS
![IXTP14N60X2_DS_1.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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13+ | 5.56 EUR |
15+ | 5.02 EUR |
19+ | 3.95 EUR |
20+ | 3.73 EUR |
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Technische Details IXTP14N60X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTP14N60X2 nach Preis ab 3.73 EUR bis 8.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXTP14N60X2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 180W Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 18A |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP14N60X2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP14N60X2 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP14N60X2 | Hersteller : IXYS |
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