Produkte > LITTELFUSE INC. > IXTP08N50D2
IXTP08N50D2

IXTP08N50D2 Littelfuse Inc.


media?resourcetype=datasheets&itemid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
auf Bestellung 1402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.66 EUR
50+ 3.75 EUR
100+ 3.09 EUR
500+ 2.61 EUR
1000+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXTP08N50D2 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTP08N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Weitere Produktangebote IXTP08N50D2 nach Preis ab 3.13 EUR bis 4.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 Hersteller : IXYS media-3322183.pdf MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 409-413 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.73 EUR
10+ 3.94 EUR
100+ 3.13 EUR
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTP08N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 Hersteller : IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 Hersteller : IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns
Produkt ist nicht verfügbar