![IXTP08N50D2 IXTP08N50D2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5545/238%7ETO220-3-TO220AB%7E%7E3.jpg)
IXTP08N50D2 Littelfuse Inc.
![media?resourcetype=datasheets&itemid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 4.66 EUR |
50+ | 3.75 EUR |
100+ | 3.09 EUR |
500+ | 2.61 EUR |
1000+ | 2.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTP08N50D2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTP08N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXTP08N50D2 nach Preis ab 3.13 EUR bis 4.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP08N50D2 | Hersteller : IXYS |
![]() |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 409-413 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXTP08N50D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
![]() |
IXTP08N50D2 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
IXTP08N50D2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 4.6Ω Mounting: THT Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
IXTP08N50D2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 4.6Ω Mounting: THT Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns |
Produkt ist nicht verfügbar |