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Technische Details IXTP02N120P Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXTP02N120P nach Preis ab 1.98 EUR bis 4.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IXTP02N120P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP02N120P | Hersteller : IXYS |
MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP02N120P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP02N120P | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP02N120P Produktcode: 161462 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTP02N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| IXTP02N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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IXTP02N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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IXTP02N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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IXTP02N120P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO220AB; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 33W Case: TO220AB On-state resistance: 75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTP02N120P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO220AB; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 33W Case: TO220AB On-state resistance: 75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs |
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