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IXTN200N10L2 IXYS
![IXTN200N10L2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 178A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Gate charge: 540nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 245ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 52.2 EUR |
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Technische Details IXTN200N10L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXTN200N10L2 nach Preis ab 52.2 EUR bis 82.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXTN200N10L2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 178A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11mΩ Gate charge: 540nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 245ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTN200N10L2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTN200N10L2 | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTN200N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTN200N10L2 | Hersteller : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |