auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 81.95 EUR |
| 10+ | 76.96 EUR |
| 20+ | 69.03 EUR |
| 50+ | 67.58 EUR |
| 100+ | 65.86 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTN110N20L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 735W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXTN110N20L2 nach Preis ab 64.61 EUR bis 82.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN110N20L2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 200V 100A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTN110N20L2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 735W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IXTN110N20L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXTN110N20L2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 24mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 420ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IXTN110N20L2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 24mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 420ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |