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IXTK90P20P IXYS
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Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 315ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 20.12 EUR |
25+ | 19.56 EUR |
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Technische Details IXTK90P20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Weitere Produktangebote IXTK90P20P nach Preis ab 19.56 EUR bis 33.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXTK90P20P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 315ns |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK90P20P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
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IXTK90P20P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK90P20P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK90P20P Produktcode: 166401 |
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IXTK90P20P | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK90P20P | Hersteller : Littelfuse |
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