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Technische Details IXTK90N25L2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 250V 90A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTK90N25L2 nach Preis ab 31.12 EUR bis 56.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : Ixys Corporation |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : IXYS |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 640nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 266ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK90N25L2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 640nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 266ns |
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