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IXTK40P50P

IXTK40P50P IXYS


media-3323305.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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Technische Details IXTK40P50P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTK40P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, TO-264, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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IXTK40P50P IXTK40P50P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_40p50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 40A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
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IXTK40P50P IXTK40P50P Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007923985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTK40P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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IXTK40P50P IXTK40P50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK40P50P IXTK40P50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK40P50P IXTK40P50P Hersteller : IXYS IXTK40P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -40A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -40A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 477ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK40P50P IXTK40P50P Hersteller : IXYS IXTK40P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -40A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -40A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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