![IXTK170P10P IXTK170P10P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/401/TO264.jpg)
IXTK170P10P Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1087 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 33.49 EUR |
25+ | 27.76 EUR |
100+ | 26.02 EUR |
500+ | 22.21 EUR |
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Technische Details IXTK170P10P Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Produktreihe PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXTK170P10P nach Preis ab 26.91 EUR bis 33.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXTK170P10P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 2384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK170P10P | Hersteller : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK170P10P | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK170P10P | Hersteller : Littelfuse |
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IXTK170P10P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -170A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 176ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK170P10P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -170A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 176ns |
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