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IXTK110N20L2

IXTK110N20L2 Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Technische Details IXTK110N20L2 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : IXYS media-3320412.pdf MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n20_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-264
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Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : Littelfuse screte_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n20_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK110N20L2 Hersteller : Littelfuse screte_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n20_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : IXYS IXT_110N20L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 Hersteller : IXYS IXT_110N20L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
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