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IXTH96P085T

IXTH96P085T IXYS

IXT_96P085T.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 249 Stücke:
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Technische Details IXTH96P085T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH96P085T - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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IXTH96P085T IXTH96P085T Hersteller : IXYS IXT_96P085T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
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IXTH96P085T IXTH96P085T Hersteller : IXYS media-3321966.pdf MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds
auf Bestellung 825 Stücke:
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10+ 12.07 EUR
30+ 10.19 EUR
120+ 9.12 EUR
270+ 8.82 EUR
510+ 8.57 EUR
IXTH96P085T IXTH96P085T Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30+ 10.26 EUR
120+ 9.18 EUR
510+ 8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXTH96P085T IXTH96P085T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXTH96P085T IXTH96P085T Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH96P085T - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXTH96P085T IXTH96P085T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXTH96P085T IXTH96P085T Hersteller : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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