IXTH62N65X2 Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 13.94 EUR |
30+ | 12.51 EUR |
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Technische Details IXTH62N65X2 Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTH62N65X2 nach Preis ab 11.99 EUR bis 17.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXTH62N65X2 | Hersteller : IXYS | MOSFETs TO247 650V 62A N-CH X2CLASS |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH62N65X2 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH62N65X2 | Hersteller : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH62N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 445ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH62N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 445ns |
Produkt ist nicht verfügbar |