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IXTH50P10 IXYS
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Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 11.63 EUR |
8+ | 9.28 EUR |
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30+ | 8.61 EUR |
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Technische Details IXTH50P10 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXTH50P10 nach Preis ab 8.61 EUR bis 18.3 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXTH50P10 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 180ns |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH50P10 | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH50P10 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH50P10 | Hersteller : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH50P10 | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH50P10 | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH50P10 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTH50P10 | Hersteller : Ixys Corporation |
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IXTH50P10 | Hersteller : Ixys Corporation |
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